[发明专利]包括叠对误差保护的图案化方法有效
申请号: | 201580067587.0 | 申请日: | 2015-09-25 |
公开(公告)号: | CN107004577B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 安东·J·德维利耶;杰弗里·史密斯 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;董文国 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本文中的技术包括在用于产生硬掩模、特征、接触开口等的微加工期间用于图案化流程的间隔物处理的用途。本文中的技术包括使用侧壁间隔物以在待图案化的特征之间限定硬边界。这样的间隔物位于叠对的浮雕图案下方,使得间隔物的一部分被暴露并且保护下面的层。本文中的技术可以用于金属化,并且特别地,用于在电子装置接触部上方的第一金属层的金属化。更广泛而言,本文中的技术可以用于其中一个结构非常靠近另一个结构(例如具有次分辨率尺寸)的任何类型的关键布置。 | ||
搜索关键词: | 包括 误差 保护 图案 方法 | ||
【主权项】:
一种图案化基底的方法,所述方法包括:提供具有位于目标层上的第一浮雕图案的基底,所述第一浮雕图案限定一个或更多个开口,使得所述目标层的部分在高度方向上露出;在所述第一浮雕图案的竖直表面上形成第一侧壁间隔物;将第一组合图案转移至所述目标层,所述第一组合图案由所述第一浮雕图案和所述第一侧壁间隔物限定;移除所述第一浮雕图案,使得所述第一侧壁间隔物保留;在所述基底上形成第二浮雕图案,所述第二浮雕图案限定一个或更个开口,使得所述目标层的部分在高度方向上露出,以及所述第一侧壁间隔物的部分在高度方向上露出;以及将第二组合图案转移至所述目标层,所述第二组合图案由所述第二浮雕图案和所述第一侧壁间隔物限定。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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