[发明专利]高纯度聚硅氧碳衍生的碳化硅材料、应用和过程在审
| 申请号： | 201580063973.2 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN107001152A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 安德鲁·R.·霍普金斯;阿希什·P.·迪万吉;沃尔特·J.·舍伍德;道格拉斯·M.·杜克斯 | 申请（专利权）人： | 梅里奥创新公司 |
| 主分类号： | C04B35/52 | 分类号： | C04B35/52 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 有机硅化学、聚合物衍生的陶瓷材料和方法。用于制备具有3个9、4个9、6个9或更高纯度的聚硅氧碳(SiOC)和碳化硅(SiC)材料的材料和方法。使用所述高纯度SiOC和SiC的方法和制品。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 聚硅氧碳 衍生 碳化硅 材料 应用 过程 | ||
【主权项】：
一种制品，所述制品包括：a.自我烧结的聚硅氧碳衍生的碳化硅组合物；b.自我烧结的聚硅氧碳衍生的碳化硅组合物包括烧结的亚微米尺寸的碳化硅颗粒，其中所述组合物基本不含有烧结助剂。
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