[发明专利]固体摄像装置、固体摄像装置制造方法和电子设备有效
申请号: | 201580060037.6 | 申请日: | 2015-10-29 |
公开(公告)号: | CN107078141B | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 大井上昂志 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H04N5/369;H04N5/374 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及固体摄像装置、该固体摄像装置的制造方法和含有该固体摄像装置的电子设备。该固体摄像装置被配置成:在布置有多个摄像部的情况下,入射至各所述摄像部的像素区域之间的间隙中的光能够被所述像素区域接收。CMOS图像传感器具有包括多个像素的像素区域。多个CMOS图像传感器中的各者分别设置有凸透镜。所述多个CMOS图像传感器被布置在支撑基板上。例如,本发明能够被应用到在支撑基板上布置有多个CMOS图像传感器的固体摄像装置等。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】:
一种固体摄像装置,其包括:多个摄像部,所述多个摄像部中的各者具有包括多个像素的像素区域;第一透镜,所述第一透镜是对应于所述多个摄像部中的各者而设置的;以及支撑基板,所述多个摄像部被布置在所述支撑基板上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的