[发明专利]磁阻元件和磁存储器有效
| 申请号： | 201580045837.0 | 申请日： | 2015-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN106716661B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 大岭俊平;大坊忠臣;加藤侑志;长谷直基;伊藤顺一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01F10/16;H01F10/30;H01F10/32;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈冠钦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供即使将存储层薄膜化，也能降低底基层中所含元素的扩散的影响的磁阻元件和磁存储器。根据本实施方案的磁阻元件具备：包含Ni和Co中的至少一种元素及Al的具有CsCl结构的第1层、第1磁性层、所述第1层和所述第1磁性层之间的第1非磁性层、以及所述第1层和所述第1非磁性层之间的包含Mn和Ga的第2磁性层。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 元件 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.磁阻元件，其具备：包含CoxAl100‑x、具有CsCl结构的第1层、第1磁性层、所述第1层和所述第1磁性层之间的第1非磁性层、以及所述第1层和所述第1非磁性层之间的包含Mn和Ga的第2磁性层，其中56atm％＞x≥46atm％。
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