[发明专利]用于SOC图案上的图案反转的被覆用组合物

摘要

本发明的课题是提供对于被加工基板上所形成的高低差基板，可以良好地填埋于其图案间，并且形成平坦的膜的图案反转用树脂组合物。作为解决本发明课题的方法涉及用于下述工序的被覆用聚硅氧烷组合物，所述工序为：在半导体基板上2形成有机下层膜3的工序(1)，在有机下层膜3上涂布硅硬掩模形成用组合物进行烧成而形成硅硬掩模4的工序(2)，在上述硅硬掩模上涂布抗蚀剂组合物而形成抗蚀剂膜5的工序(3)，将该抗蚀剂膜5进行曝光，曝光后将抗蚀剂膜显影而获得抗蚀剂图案的工序(4)，硅硬掩模4的蚀刻工序(5)，有机下层膜3的蚀刻工序(6)，在经图案化的有机下层膜3上涂布本发明的被覆用聚硅氧烷组合物，通过回蚀使该有机下层膜的上表面露出的工序(7a、7b)，对有机下层膜3进行蚀刻而将图案反转的工序(8)。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：在半导体基板上形成有机下层膜的工序(1)；在所述有机下层膜上涂布硅硬掩模形成用组合物进行烧成而形成硅硬掩模的工序(2)；在所述硅硬掩模上涂布抗蚀剂组合物而形成抗蚀剂膜的工序(3)；将所述抗蚀剂膜进行曝光，曝光后将该抗蚀剂膜显影而获得抗蚀剂图案的工序(4)；按照所述抗蚀剂图案对硅硬掩模进行蚀刻的工序(5)；按照经图案化的硅硬掩模对有机下层膜进行蚀刻而形成经图案化的有机下层膜的工序(6)；在所述经图案化的有机下层膜上涂布被覆用聚硅氧烷组合物，用该聚硅氧烷组合物填埋该有机下层膜的图案间，通过回蚀使该有机下层膜的上表面露出的工序(7)；以及对所述有机下层膜进行蚀刻而将图案反转的工序(8)，/n所述被覆用聚硅氧烷组合物包含水解性硅烷的水解缩合物，所述水解性硅烷在全部硅烷中以成为30～100摩尔％的比例包含具有2个～3个水解性基团的水解性硅烷。/n