[发明专利]用于射频应用的结构有效
| 申请号： | 201580041382.5 | 申请日： | 2015-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN106575637B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | O·科农丘克;W·范德恩达埃勒;E·德博内 | 申请（专利权）人： | SOITEC公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 11314 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳<国际申请>=PCT/FR2 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及用于射频应用的结构(1)，其包括：·高电阻率硅的支撑衬底(2)，其包括下部和上部(3)，对上部进行p型掺杂至深度D；·硅的介孔俘获层(4)，其形成在支撑衬底(2)的经掺杂的上部(3)中。根据本发明，该结构(1)的特征在于，深度D小于1微米，且俘获层(4)的孔隙率在20％与60％之间。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 射频 应用 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于射频应用的结构(1、1'、11)，包括：/n-高电阻率硅的支撑衬底(2)，其包括下部和上部(3)，对上部进行p型掺杂至深度D；/n-硅的介孔俘获层(4)，其形成在支撑衬底(2)的经掺杂的上部(3)中；/n该结构(1、1'、11)的特征在于，深度D小于1微米，且俘获层(4)的孔隙率在20％与60％之间，用于俘获在支撑衬底(2)中产生的反型载流子。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
