[发明专利]晶片的缺陷测量装置

摘要

本发明涉及一种用于测量晶片缺陷的装置，该装置能够同时测量晶片的上表面、下表面和侧表面上的缺陷，而同时防止损坏晶片。本发明提供一种用于测量晶片缺陷的装置，该装置包括：下鼓风机，通过将空气喷射到晶片的下表面来缓冲晶片；上鼓风机，设置为能够相对于下鼓风机上下移动，并且通过将空气喷射到晶片的上表面来使晶片固定；上污染测量件，设置在上鼓风机的上侧，并且检测晶片的上表面上的污染；下污染测量件，设置在下鼓风机的下侧，并且检测晶片的下表面上的污染；以及侧污染测量件，设置在上鼓风机与下鼓风机之间，并且检测晶片的侧表面上的污染。

主权项

1.一种用于测量晶片缺陷的装置，包括：下鼓风机，配置为将空气喷射到晶片的下表面以使所述晶片漂浮；上鼓风机，设置为相对于所述下鼓风机上下移动，并且配置为将空气喷射到所述晶片的上表面以使所述晶片固定；上污染测量件，设置在所述上鼓风机的上侧，并且配置为检测所述晶片的上表面上的污染；下污染测量件，设置在所述下鼓风机的下侧，并且配置为检测所述晶片的下表面上的污染；和侧污染测量件，设置在所述上鼓风机与所述下鼓风机之间，并且配置为检测所述晶片的侧表面上的污染，其中，所述上鼓风机和所述下鼓风机中的每一个均具有45°的空气喷射角，空气以所述空气喷射角被喷射到所述晶片的上表面和下表面，并且空气被喷射到所述晶片的中心与其边缘之间的中间点。