[发明专利]在CMP后使用的清洁组合物及其相关方法有效
| 申请号： | 201580039131.3 | 申请日： | 2015-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN106661518B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | R.伊万诺夫;柯政远;F.孙 | 申请（专利权）人： | 嘉柏微电子材料股份公司 |
| 主分类号： | C11D7/26 | 分类号： | C11D7/26;C11D7/32;C11D7/36;C11D7/04;H01L21/304 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 孙梵 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种组合物，其用于在化学机械抛光后自半导体晶片清洁污染物。该清洁组合物含有大体积保护配体、有机胺、有机抑制剂及水。本发明亦提供使用该清洁组合物的方法。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 使用 清洁 组合 及其 相关 方法 | ||
【主权项】：
1.一种组合物，其用于在化学机械抛光后自半导体晶片清洁污染物，该组合物包含：/n(a)大体积保护配体，该大体积保护配体为三羟乙基甲基氢氧化铵(THEMAH)，其以基于该组合物的总重量0.01重量％至0.2重量％的量存在，/n(b)有机胺，该有机胺为单乙醇胺(MEA)，其以基于该组合物的总重量0.005重量％至0.12重量％的量存在，/n(c)双重有机抑制剂，其中该有机抑制剂为碳酰肼(CHZ)与二乙基羟胺(DEHA)的组合，其中，碳酰肼(CHZ)以基于该组合物的总重量0.002重量％至0.12重量％的量存在，及二乙基羟胺(DEHA)以基于该组合物的总重量0.002重量％至0.06重量％的量存在，及/n(d)水，其以99.5wt.％至99.98wt.％的量存在，/n其中该组合物具有10至13的pH。/n
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