[发明专利]利用单结晶铜的纳米级网纱多层结构电极及其制造方法

摘要

本发明涉及一种利用单结晶铜的纳米级网纱多层结构电极及其制造方法，尤其是一种包括：基板；单结晶铜电极层，形成于上述基板的上部且具有纳米级别尺寸线宽的蜂窝状图案；以及金属氧化物层，形成于上述单结晶铜电极层的上部且由金属氧化物构成；的利用单结晶铜的纳米级网纱多层结构电极及其制造方法，具有光学透光度优秀、电气表面电阻低、机械稳定性优秀等优点。如上所述的本发明的技术要旨在于，一种利用单结晶铜的纳米级网纱多层结构电极及其制造方法，其特征在于包括：基板；单结晶铜电极层，形成于上述基板的上部且具有纳米级别尺寸线宽的蜂窝状图案；以及金属氧化物层，形成于上述单结晶铜电极层的上部且由金属氧化物构成。

主权项

1.一种利用单结晶铜的纳米级网纱多层结构电极，其特征在于，包括：基板；单结晶铜电极层，形成于上述基板的上部且具有纳米级别尺寸线宽的蜂窝状图案，这是通过使用在高频溅射或直流溅射之后通过过度湿蚀刻实现的底切，通过在基板上沉积单结晶铜而实现的；以及金属氧化物层，形成于上述单结晶铜电极层的上部且由金属氧化物构成。