[发明专利]用于小面积数字SOC的自适应标准单元架构和布局技术

摘要

一种标准单元CMOS器件包括跨标准单元延伸的第一电源轨(104)。第一电源轨连接到第一电压或小于第一电压的第二电压中的一个电压。该器件进一步包括跨标准单元延伸的第二电源轨(118)。第二电源轨连接到第一电压或第二电压中的另一个电压。第二电源轨包括M2层互连和连接到M1层互连的M1层互连集合。该器件进一步包括在第一电源轨与第二电源轨之间并由第一电源轨和第二电源轨供电的CMOS晶体管器件集合。该器件进一步包括在第二电源轨下方并且与第二电源轨正交地延伸的M1层互连(124)。M1层互连耦合到CMOS晶体管器件集合。

主权项

一种标准单元互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，包括：第一电源轨，所述第一电源轨跨所述标准单元延伸，所述第一电源轨连接到第一电压或小于所述第一电压的第二电压中的一个电压；第二电源轨，所述第二电源轨跨所述标准单元延伸，所述第二电源轨连接到所述第一电压或所述第二电压中的另一个电压，所述第二电源轨包括金属x层互连和连接到所述金属x层互连的金属x‑1层互连集合；CMOS晶体管器件集合，所述CMOS晶体管器件集合在所述第一电源轨与所述第二电源轨之间并且由所述第一电源轨和所述第二电源轨供电；以及x‑1层互连，所述x‑1层互连在所述第二电源轨下方并且与所述第二电源轨正交地延伸，所述x‑1层互连耦合到所述CMOS晶体管器件集合。