[发明专利]具有栅环的改进定中心和固定的关断功率半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种关断功率半导体装置(1)，具有：晶片(10)，具有有源区以及包围有源区的端接区；橡胶环(70)，作为晶片(10)的边缘钝化；以及栅环(60)，放置于端接区上的环形栅接触件(40)上，以用于接触晶片的有源区中形成的至少一个晶闸管单元的栅电极。在本发明的关断功率半导体装置(1)中，栅环的外圆周表面与橡胶环相接触，以限定橡胶环(70)的内边界。在本发明中，由端接或边缘区上的环形栅接触件(40)所消耗的面积能够为最小。栅环(60)的上表面和橡胶环(70)的上表面形成与晶片(10)的第一主侧(11)平行的平面中延伸的连续表面。在用于制造装置的方法中，栅环(60)用作用于模塑橡胶环(70)的模具的内侧壁。

主权项

1.一种关断功率半导体装置，包括：晶片(10)，具有第一主侧(11)、与所述第一主侧(11)平行并且沿侧向延伸的第二主侧(12)、有源区(16)以及侧向包围所述有源区(16)的端接区(15)；所述第一主侧(11)与所述第二主侧(12)之间的所述有源区(16)中的至少一个晶闸管单元(2)，所述至少一个晶闸管单元(2)按照从所述第一主侧(11)到所述第二主侧(12)的顺序包括：（a）第一阴极电极(21)；（b）第一导电类型的阴极半导体层(22)；（c）与所述第一导电类型不同的第二导电类型的基底半导体层(23)；（d）所述第一导电类型的漂移半导体层(24)；（e）所述第二导电类型的阳极半导体层(26)；（f）第一阳极电极(27)，其中所述至少一个晶闸管单元(2)还包括栅电极(20)，其设置在所述阴极半导体层(22)的侧向，并且接触所述基底半导体层(23)，以及其中所述至少一个晶闸管单元(2)的所述至少一个栅电极(20)电连接到环形接触件(40)，该环形接触件(40)用于接触所述至少一个晶闸管单元(2)的所述至少一个栅电极(20)，其中所述环形接触件(40)在所述晶片的所述第一主侧(11)上在所述端接区(15)中形成，并且包围所述有源区(16)；所述装置(1)还包括：橡胶环(70)，设置在所述端接区(15)上，并且包围所述有源区(16)；以及用于从外部接触所述环形栅接触件(40)的导电栅环(60)，其中所述栅环(60)在所述橡胶环(70)中设置于所述环形接触件(40)上并且电连接到所述环形接触件(40)，其中所述栅环(60)的外圆周表面(61)与所述橡胶环(70)相接触，以限定所述橡胶环(70)的内边界，其特征在于，所述栅环(60)的上表面和所述橡胶环(70)的上表面形成与所述晶片(10)的所述第一主侧(11)平行的平面中延伸的连续表面。