[发明专利]边缘耦合设备制造有效
| 申请号： | 201580018130.0 | 申请日： | 2015-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN106164722B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 潘华璞;刘宗荣;魏红振;陈宏民 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/132;G02B6/136;G02B6/30 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 提供了一种制造边缘耦合设备的方法和一种边缘耦合设备。该方法包括移除一部分覆层材料，以在倒锥形硅波导上形成沟槽；在覆层材料的剩余部分上以及在沟槽中，沉积具有折射率大于二氧化硅的材料；以及移除在所述沟槽中的一部分所述材料，以形成脊形波导。 | ||
| 搜索关键词： | 边缘 耦合 设备 制造 | ||
【主权项】：
一种制造边缘耦合设备的方法，包括：移除一部分覆层材料，以在倒锥形硅波导上形成沟槽；在所述覆层材料的剩余部分上以及在所述沟槽中，沉积具有折射率大于二氧化硅的材料；以及移除在所述沟槽中的一部分所述材料，以形成脊形波导。
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