[发明专利]用于晶片翘曲减小的应力缓解结构

摘要

一种集成电路器件包括基板。该集成电路器件还包括第一导电栈，第一导电栈在相对于基板的第一标高处包括后端制程(BEOL)导电层。该集成电路器件还包括第二导电栈，第二导电栈在相对于基板的第二标高处包括BEOL导电层。第二标高不同于第一标高。

主权项

1.一种集成器件，包括：支撑第一沉积层间电介质的基板；包括后端制程（BEOL）导电层的第一导电栈，所述第一导电栈处于相对于所述基板的第一标高处，其中第一导电栈包括第一导电层直接在所述基板的表面上、第一沉积层间电介质仅在第一导电层的表面上、第二沉积电介质层在第一导电层上、第二导电层在第二沉积电介质层上、以及第三导电层直接在第一沉积层间电介质上并且通过第一通孔耦合到第一导电层；以及包括BEOL导电层的第二导电栈，第二导电栈处于相对于所述基板的不同于第一标高的第二标高处，其中第二导电栈包括直接在所述基板的表面上的第三导电层。