[发明专利]吸收增强结构在审
| 申请号： | 201580014562.4 | 申请日： | 2015-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN106165119A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托弗·埃曼;安德鲁·埃斯托尔夫 | 申请（专利权）人： | 克里斯托弗·埃曼 |
| 主分类号： | H01L31/054 | 分类号： | H01L31/054;H01L31/056 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 曹正建;陈桂香 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种特别地用于薄层电池的电池结构，该电池结构包括反射体和吸收层，其中，反射体具有上侧和下侧，其中，上侧朝向吸收层，其中，反射体在上侧处包括由介电材料构成的腔。 | ||
| 搜索关键词： | 吸收 增强 结构 | ||
【主权项】：
一种特别地用于薄层电池的结构(1)，所述结构包括反射体(2)和吸收层(4)，其中，所述反射体(2)具有上侧(22)和下侧(24)，其中，所述上侧(22)朝所述吸收层(4)定向，其中，所述反射体(2)在所述上侧(22)处包括由介电材料构成的腔(6)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
