[发明专利]平板显示器用配线膜有效
| 申请号： | 201580004042.5 | 申请日： | 2015-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN105900216B | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 后藤裕史;岩成裕美 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;C22C21/00;C23C14/34;H01L21/285;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的平板显示器用配线膜，由如下第一层和第二层层叠而成的层叠结构构成：第一层，其含有从Mo、Ti、Cr、W和Ta所构成的群中选择的至少一种以上的高熔点金属；第二层，其由含有0.01原子％以上且低于0.2原子％的稀土类元素、Ni和Co之中至少一种以上的Al合金构成。该配线膜即使经受400℃以上且500℃以下的高温的热过程，仍可抑制配线电阻的上升，也不会发生小丘等，耐热性优异。 | ||
| 搜索关键词： | 平板 显示 器用 配线膜 | ||
【主权项】：
1.一种平板显示器用配线膜，其特征在于，是形成于基板上的平板显示器用配线膜，所述配线膜由如下第一层和第二层层叠而成的层叠结构构成：第一层，其含有从Mo、Ti、Cr、W和Ta所构成的群中选择的至少一种以上的高熔点金属；第二层，其由含有稀土类元素，并含有Ni和Co之中的至少一种以上的Al合金构成，其中，所述稀土类元素和所述Ni和Co之中的至少一种以上的合计为0.01原子％以上且低于0.2原子％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
