[实用新型]集成电路霍尔效应测试装置及其测试平台有效

专利信息
申请号: 201520984363.3 申请日: 2015-12-02
公开(公告)号: CN205157730U 公开(公告)日: 2016-04-13
发明(设计)人: 陈爱兵;王秀军;胡进;张刚;王濬腾 申请(专利权)人: 日月光半导体(昆山)有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 林斯凯
地址: 215323 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及集成电路霍尔效应(Hall Effect)测试装置及其测试平台。根据本实用新型一实施例,该集成电路霍尔效应(Hall Effect)测试平台包括:测试机台、测试底板以及霍尔效应测试装置;测试机台包括基板;霍尔效应测试装置设置于测试底板内且该霍尔效应测试装置包括屏蔽壳体、磁场线圈以及测试座;屏蔽壳体定义一测试区;磁场线圈经配置产生磁场,且该磁场线圈设置于测试区内;测试座经配置以承载待测试集成电路,且该测试座设置于测试区内且为磁场线圈所环绕。根据本实用新型的集成电路霍尔效应(Hall Effect)测试平台,其增加了半导体集成电路的测试项目,提升了集成电路测试机台的能力。
搜索关键词: 集成电路 霍尔 效应 测试 装置 及其 平台
【主权项】:
一种集成电路霍尔效应测试平台,其特征在于:所述集成电路霍尔效应测试平台包括:测试机台,所述测试机台包括基板;测试底板;以及霍尔效应测试装置,所述霍尔效应测试装置设置在所述测试底板中;且其中所述霍尔效应测试装置包括:屏蔽壳体,定义一测试区;磁场线圈,经配置以产生磁场;所述磁场线圈设置于所述测试区内;以及测试座,经配置以承载待测试集成电路;所述测试座设置于所述测试区内且为所述磁场线圈所环绕。
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