[实用新型]电子器件有效
申请号: | 201520965124.3 | 申请日: | 2015-11-26 |
公开(公告)号: | CN205428924U | 公开(公告)日: | 2016-08-03 |
发明(设计)人: | P·加利;S·阿萨纳西乌;J·里科兹;S·恩格尔斯 | 申请(专利权)人: | 意法半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/06;H01L29/78 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种电子器件,包括:集成电路(IC),包括例如至少一个MOS晶体管(TRN);以及加热装置(SC),被电耦合至所述至少一个晶体管的源极(S)半导电区域或漏极(D)半导电区域中的一个的至少两个位点(ED1、ED2)并且被配置为引起至少一个电流(I)在所述位点之间流通。 | ||
搜索关键词: | 电子器件 | ||
【主权项】:
一种电子器件,其特征在于,包括:集成电路(IC),包括至少一个集成结构(TRN);以及加热装置(SC),所述加热装置被电耦合至所述至少一个集成结构的有源区(S)的至少两个位点(ED1,ED2),并且被配置成引起至少一个电流(I)在所述位点之间流通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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