[实用新型]晶元处理装置有效
| 申请号： | 201520652693.2 | 申请日： | 2015-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN205122542U | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 朴钟文;李昇奂;徐埈成;李承恩;尹勤植;安俊镐;田英洙;崔光洛 | 申请（专利权）人： | K.C.科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/687;B24B37/10 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 朱健;陈国军 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种晶元处理装置，其涉及一种进行化学机械研磨工艺和清洗工艺的晶元处理装置，所述晶元处理装置包括化学机械研磨模块和清洗模块，所述化学机械研磨模块包括：第一研磨盘群，其为排列两个以上研磨盘的第一列；第二研磨盘群，其为与所述第一列隔离排列两个以上研磨盘的第二列，在所述第一研磨盘群和所述第二研磨盘群分别对晶元进行化学机械研磨工艺，所述清洗机模块包括：第一清洗机群，其为在所述化学机械研磨模块的一侧排列两个以上的清洗机而成的第三列；第二清洗机群，其为在所述化学机械研磨模块的一侧排列两个以上的清洗机而成的第四列。从而，所述晶元处理装置具有根据多种处理工艺能够进行不同选择的配置结构。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种晶元处理装置，作为进行化学机械研磨工艺和清洗工艺的晶元处理装置，其特征在于，包括化学机械研磨模块和清洗模块，所述化学机械研磨模块包括：第一研磨盘群，其为排列两个以上研磨盘的第一列；第二研磨盘群，其为与所述第一列隔离而排列两个以上研磨盘的第二列，在所述第一研磨盘群和所述第二研磨盘群分别对晶元进行化学机械研磨工艺，所述清洗模块包括：第一清洗机群，其为在所述化学机械研磨模块的一侧排列两个以上的清洗机而成的第三列；第二清洗机群，其为在所述化学机械研磨模块的一侧排列两个以上的清洗机而成的第四列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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