[实用新型]半导体装置有效
申请号: | 201520028093.9 | 申请日: | 2015-01-15 |
公开(公告)号: | CN204332982U | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
发明(设计)人: | 冈崎光洋 | 申请(专利权)人: | 三垦电气株式会社 |
主分类号: | H01L31/044 | 分类号: | H01L31/044 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本实用新型提供一种半导体装置。该半导体装置是可利用简易且廉价的结构来获得驱动电源的关于旁路模块的半导体装置。本实用新型的半导体装置利用封装树脂来封装RBPMOS、控制元件、第1二极管、第2二极管、芯片载置台、第1内引线、第2内引线、第1金属线和第2金属线,该半导体装置的特征为,上述第1二极管是限幅二极管,上述第2二极管是肖特基势垒二极管,上述第1二极管和上述第2二极管的极性不同。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其利用封装树脂来封装RBPMOS、控制元件、第1二极管、第2二极管、芯片载置台、第1内引线、第2内引线、第1金属线和第2金属线,其特征在于,所述第1二极管是限幅二极管,所述第2二极管是肖特基势垒二极管,所述第1二极管和所述第2二极管的极性不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的