[发明专利]用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器结构及其制备方法，包括以下步骤：1）提供硅片衬底，在硅片衬底内形成环形深槽；2）在硅片衬底表面及环形深槽侧壁形成第一绝缘层；3）在环形深槽内形成多晶硅电阻，并在环形深槽内及硅片衬底表面形成多晶硅引线；4）在多晶硅电阻及多晶硅引线表面形成第二绝缘层；5）在多晶硅电阻上方的环形深槽内形成多晶硅填充料层；6）在位于硅片衬底表面的多晶硅引线表面形成金属压焊块。本发明的用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器，适于硅通孔互连应力的测试与监控，测试原理简单，便于操作，测试精准度高；本发明的用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器的制备方法工艺步骤简单，利于产业化生产。

主权项

1.一种用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：1)提供硅片衬底，在所述硅片衬底内形成环形深槽；2)在所述硅片衬底表面及所述环形深槽侧壁形成第一绝缘层；3)在所述环形深槽内形成多晶硅电阻，并在所述环形深槽内及所述硅片衬底表面形成多晶硅引线；所述多晶硅电阻的高度小于所述环形深槽的深度，所述多晶硅引线一端与所述多晶硅电阻的表面相连接，另一端延伸至所述硅片衬底表面；4)在所述多晶硅电阻及所述多晶硅引线表面形成第二绝缘层；5)在所述多晶硅电阻上方的环形深槽内形成多晶硅填充料层；6)在位于所述硅片衬底表面的多晶硅引线表面形成金属压焊块；所述多晶硅引线的数量为两根，两根所述多晶硅引线相对分布；所述金属压焊块的数量为两块，两块所述金属压焊块分别位于所述多晶硅引线延伸至所述硅片衬底表面的一端。