[发明专利]改进的高性能磁通门装置有效
| 申请号： | 201510869776.1 | 申请日： | 2015-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN105655367B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | M·M·伊萨;D·W·李 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L21/77;H01L43/02;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民;孙娜燕 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种改进的高性能磁通门装置。一种集成电路包括磁通门磁强计。利用非磁性金属或非磁性合金封装层118/122封装磁通门磁强计的磁芯120。封装层在磁芯材料120和周围电介质124之间提供应力松弛。一种用于形成集成电路的方法利用非磁性金属或非磁性合金层118/122封装磁通门磁强计的磁芯120，以消除分层并基本上减少围绕磁芯120的电介质的开裂。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 性能 磁通门 装置 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：具有磁芯的磁通门，其中所述磁芯在所有侧面上被封装剂层封装，其中所述封装剂包括在所述磁芯下方的第一层非磁性金属或非磁性合金和在所述磁芯顶部和侧面上方的第二层所述非磁性金属或所述非磁性合金。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
