[发明专利]装置结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201510829167.3 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN105355556A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 青岛金智高新技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/336;H01L21/84 |
| 代理公司： | 青岛申达知识产权代理有限公司 37243 | 代理人： | 蒋遥明 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了装置结构及其形成方法。霍尔效应装置和场效晶体管形成为包含碳基纳米结构层，例如碳纳米管和/或石墨烯，其上形成有牺牲金属层，以在处理期间保护碳基纳米结构层。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种装置结构的形成方法，包括：选择在上表面上具有碳基纳米结构层的绝缘基板；在所述碳基纳米结构层上形成第一金属的第一层；在所述第一金属的第一层上形成具有第一图案的第一图案化层；转移所述第一图案到所述第一金属的第一层和所述碳基纳米结构层以形成第一金属的第一图案化层和在其下方的第一图案化碳基纳米结构层；去除所述第一图案化层；在所述绝缘基板和所述第一金属的第一图案化层之上形成第二金属的第二图案化层；所述第二金属的第二图案化层具有包括彼此分隔的多个接触的第二图案，其中各个接触具有在所述第一金属的第一图案化层上的部分和在所述绝缘基板上的部分；以及去除没有被所述多个接触覆盖的所述第一金属的第一图案化层，由此所述第一图案化碳基纳米结构层具有未被所述第一金属的第一图案化层覆盖的区域。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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