[发明专利]像素结构及像素阵列有效

专利信息
申请号: 201510731684.7 申请日: 2015-11-02
公开(公告)号: CN105301855B 公开(公告)日: 2018-08-24
发明(设计)人: 谢秀春;陈亦伟;陈明炎;苏志中 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1333;G02F1/1343
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;鲍俊萍
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种像素结构,包括扫描线、第一数据线、第二数据线、主动元件、覆盖层、共享电极层、绝缘层以及像素电极。第一数据线以及第二数据线所传递的信号极性不相同。覆盖层覆盖扫描线、第一数据线、第二数据线以及主动元件。共享电极层,位于覆盖层上并具有第一开口以及第二开口。第一开口与主动元件至少一部份于垂直方向上重迭。第二开口与第二数据线至少一部分在垂直方向上重迭。绝缘层位于共享电极层上。像素电极位于绝缘层上且经由接触窗与主动元件电性连接。像素电极延伸覆盖第二开口并经由第二开口与第二数据线之间形成耦合电容。
搜索关键词: 像素 结构 阵列
【主权项】:
1.一种像素结构,其特征在于,包括:一扫描线、一第一数据线以及一第二数据线,其中该第一数据线以及该第二数据线所传递的信号极性不相同,该第一数据线以及该第二数据线两两相邻;一主动元件,该主动元件的元件极与该扫描线连接以及该主动元件的源极与该第一数据线连接;一覆盖层,覆盖该扫描线、该第一数据线、该第二数据线以及该主动元件;一共享电极层,位于该覆盖层上,其中该共享电极层具有一第一开口以及一第二开口,该第一开口与该主动元件至少一部份于垂直方向上重迭,该第二开口与该第二数据线至少一部分在该垂直方向上重迭;一绝缘层,位于该共享电极层上,其中,该绝缘层与该覆盖层具有一接触窗,该接触窗经由该共享电极的该第一开口以暴露出该主动元件的漏极;一像素电极,位于该绝缘层上且经由该接触窗与该主动元件的漏极电性连接,其中该像素电极延伸覆盖该第二开口,且该像素电极经由该第二开口与该第二数据线之间形成一耦合电容。
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