[发明专利]LTCC材料微通道制造要素的反演优化方法有效
申请号: | 201510725269.0 | 申请日: | 2015-10-30 |
公开(公告)号: | CN105243226B | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 黄进;汪路;李鹏;周金柱;王朝斌 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 西安吉盛专利代理有限责任公司 61108 | 代理人: | 张恒阳 |
地址: | 710071 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明属于微通道散热技术领域,具体提供了一种LTCC材料微通道制造要素的反演优化方法,主要通过APAA阵面部分点的温度分布,反演获得微通道变形大小和LTCC微通道的制造要素,为更好的加工微通道提供了参考。其过程包括已知阵面温度分布,通过优化过程,反演获得微通道变形大小;在通过已建立的数学模型,由微通道变形大小计算获得微通道制造要素。本发明可以为改善微通道的散热能力提供参考,在适当的微通道制造要素下,加工制造出阵面温度更加均匀的微通道。 | ||
搜索关键词: | ltcc 材料 通道 制造 要素 反演 优化 方法 | ||
【主权项】:
1.LTCC材料微通道制造要素的反演优化方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:首先制备生瓷片,对生瓷片进行切片、打孔,然后进行叠层层压,加工出LTCC材料的微通道实验样件,由于在层压过程中会造成通道上下表面的变形,设主通道上下表面的变形量分别为Ha,Hb,主通道高度为H;用MH来代表微通道变形量,则MH表达式如下,
通过显微设备测得实验微通道的主通道的上下表面的变形量Ha、Hb与总通道高度H,通过热成像仪测得阵面分布的每个辐射单元中心的温度值
步骤2:通过每个辐射单元中心的温度值
以及设微通道变形量MH的值为x,仿真得到APAA阵面相应点的温度分别为t1,t2...tn,则设
当T取最小值时,仿真温度点的值与实验测的温度点值最接近,此时x的值即为反演得到的微通道变形量;步骤3:在不同的层压压力下,通过有限元软件仿真得到不同的微通道变形量,通过数据处理软件对这些数据进行拟合,建立从微通道变形量到层压压力的数学模型,这样步骤2获得的微通道变形量通过数学模型计算得到层压压力。
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