[发明专利]基板处理装置有效
| 申请号： | 201510718230.6 | 申请日： | 2015-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN105575849B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 南田纯也;青木大辅 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置。本发明要解决的问题在于进一步抑制微粒附着于基板。实施方式的基板处理装置包括输入输出室、输送室和交接室。输入输出室用于从承载件输入基板或者将基板输出至承载件。输送室形成有用于向基板处理室输送基板的输送路径，该基板处理室用于对基板实施规定的处理。交接室配置在输入输出室与输送室之间，用于基板的在输入输出室与输送室之间的交接。并且，交接室的内压高于输入输出室的内压和输送室的内压。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置包括：输入输出室，其用于从承载件输入基板或者将基板输出至承载件；输送室，其形成有用于向基板处理室输送基板的输送路径，该基板处理室用于对基板实施规定的处理；交接室，其配置在所述输入输出室与所述输送室之间，用于基板的在该输入输出室与该输送室之间的交接，所述交接室的内压高于所述输入输出室的内压和所述输送室的内压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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