[发明专利]一种利用光刻胶以及低温等离子刻蚀制备黑硅的方法有效
| 申请号： | 201510708520.2 | 申请日： | 2015-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN105399045B | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 徐丽华;闫兰琴;褚卫国 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B1/00;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王文君 |
| 地址： | 100080 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用光刻胶以及低温等离子体刻蚀制备黑硅的方法，包括以下步骤：在硅片表面涂覆光刻胶，曝光，烘烤固化，进行低温等离子体刻蚀，从而在硅片表面形成密排的纳米锥状的陷光结构。本发明提供的方法能够在硅片上形成具有很强吸光特性的黑硅，且该方法工艺流程简单、工艺容忍度大、重复性好，可以直接制备大面积的黑硅，具有较高的制备效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 光刻 以及 低温 等离子 刻蚀 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用光刻胶以及低温等离子体刻蚀制备黑硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：在硅片表面涂覆厚度为1～6μm的紫外光刻胶，进行紫外曝光，曝光剂量为40～170mj/cm2，显影时间为30s～1min；在110～130℃烘烤固化5～10min，进行低温等离子体刻蚀，即得；在低温等离子体刻蚀过程中，下电极采用占空比为10～50％的200～500Hz脉冲电源。
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