[发明专利]一种可探测辐射的电压传感器的制备方法

摘要

本发明属于集成电路领域，涉及可探测辐射的电压传感器的制备方法，具体针对NMOS晶体管和PMOS晶体管提出不同电路结构的电压传感器。本发明使用一个针对NMOS晶体管的电压传感器连接多个NMOS晶体管的P衬底接触点，可以探测其中任何一个NMOS晶体管是否受到足够强的辐射。本发明使用一个针对PMOS晶体管的电压传感器连接多个PMOS晶体管的N阱接触点，可以探测其中任何一个PMOS晶体管是否受到足够强的辐射。测试结果显示，本发明的辐射探测时间短，电路面积和功耗小，而且辐射探测成功次数高。

主权项

一种可探测辐射的电压传感器的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤1：按图1所示电路结构，采用传统集成电路设计方法设计针对NMOS晶体管的电压传感器电路；按照图2所示电路结构，采用传统集成电路设计方法设计针对PMOS晶体管的电压传感器电路；步骤2：将图1所示电压传感器中BN节点连接被测NMOS晶体管P衬底接触点，对重置信号RST操作，根据存储节点VN和VNB数值，探测NMOS晶体管是否受到足够强的辐射；将图2所示电压传感器中BP节点连接被测PMOS晶体管N阱接触点，对重置信号RST操作，根据存储节点VP和VPB数值，探测PMOS晶体管是否受到足够强的辐射。