[发明专利]一种带失调校正的灵敏放大器

摘要

本发明公开了一种带失调校正的灵敏放大器，其第一信号单元在预充电电路开启的情况下接收第一控制信号，并将第一位线和第二位线充电至第一电压，在预充电电路关闭的情况下接收第二控制信号的高电平信号；失调电压存储单元在接收到第二控制信号的高电平信号时，存储灵敏放大器的失调电压；失调电压极性反转单元在接收到第三控制信号的高电平信号，且失调电压存储单元在接收到第二控制信号的低电平信号时，将失调电压的极性进行反转，以消除失调电压。当失调电压消除后，打开第四控制信号时，就可以读取位线压差，由此可见，该灵敏放大器能够消除失调电压，使得存储单元的面积相应的减小，降低了成本。

主权项

一种带失调校正的灵敏放大器，其特征在于，包括：第一信号单元，用于在预充电电路开启的情况下接收第一控制信号，并将第一位线和第二位线充电至第一电压，在所述预充电电路关闭的情况下接收第二控制信号的高电平信号，其中，所述第一信号单元与所述第一位线和所述第二位线连接；失调电压存储单元，用于在接收到所述第二控制信号的高电平信号时，存储所述灵敏放大器的失调电压；失调电压极性反转单元，用于在接收到第三控制信号的高电平信号，且所述失调电压存储单元在接收到所述第二控制信号的低电平信号时，将所述失调电压的极性进行反转，以消除所述失调电压；第二信号单元，用于通过阈值电压检测电路获得所述第二控制信号，并产生输出电压；第三信号单元，用于在打开第四控制信号时产生位线压差；其中，所述第二控制信号与所述第三控制信号为一对相反的信号；所述第一信号单元具体包括：第一N型‑金氧半场效晶体管和第二N型‑金氧半场效晶体管；其中，所述第一N型‑金氧半场效晶体管的栅极与所述第二N型‑金氧半场效晶体管的栅极连接，用于接收所述第一控制信号和所述第二控制信号；所述第一N型‑金氧半场效晶体管的漏极与所述第一位线连接，所述第一N型‑金氧半场效晶体管的源极与所述第二N型‑金氧半场效晶体管的漏极连接，所述第二N型‑金氧半场效晶体管的源极与所述第二位线连接；所述失调电压存储单元具体包括：第一P型‑金氧半场效晶体管、第二P型‑金氧半场效晶体管、第三P型‑金氧半场效晶体管和第四P型‑金氧半场效晶体管；其中，所述第一P型‑金氧半场效晶体管的栅极与所述第二P型‑金氧半场效晶体管的栅极均与所述第二控制信号的输出端连接；所述第一P型‑金氧半场效晶体管的漏极与所述第三P型‑金氧半场效晶体管的漏极和所述失调电压极性反转单元连接；所述第一P型‑金氧半场效晶体管的源极与所述第三P型‑金氧半场效晶体管的栅极连接；所述第二P型‑金氧半场效晶体管的源极与所述第四P型‑金氧半场效晶体管的栅极连接；所述第二P型‑金氧半场效晶体管的漏极与所述第四P型‑金氧半场效晶体管的漏极和所述失调电压极性反转单元连接；所述第三P型‑金氧半场效晶体管的源极与所述第四P型‑金氧半场效晶体管的源极、所述第二信号单元和所述第三信号单元均连接；所述失调电压极性反转单元具体包括：第五P型‑金氧半场效晶体管、第六P型‑金氧半场效晶体管、第三N型‑金氧半场效晶体管和第四N型‑金氧半场效晶体管；其中，所述第五P型‑金氧半场效晶体管的栅极和所述第六P型‑金氧半场效晶体管的栅极均与所述第三控制信号的输出端连接；所述第五P型‑金氧半场效晶体管的源极与所述第一P型‑金氧半场效晶体管的漏极连接；所述第五P型‑金氧半场效晶体管的漏极与所述第三N型‑金氧半场效晶体管的漏极连接；所述第六P型‑金氧半场效晶体管的源极与所述第二P型‑金氧半场效晶体管的漏极连接；所述第六P型‑金氧半场效晶体管的漏极与所述第四N型‑金氧半场效晶体管的漏极连接；所述第三N型‑金氧半场效晶体管的栅极与所述第一P型‑金氧半场效晶体管的源极和所述第二位线连接；所述第三N型‑金氧半场效晶体管的源极与所述第四N型‑金氧半场效晶体管的源极均与电源输出端连接；所述第四N型‑金氧半场效晶体管的栅极与所述第二P型‑金氧半场效晶体管的源极和所述第一位线连接；所述第二信号单元为第七P型‑金氧半场效晶体管；其中，所述第七P型‑金氧半场效晶体管的栅极与所述电压检测电路连接，所述第七P型‑金氧半场效晶体管的源极用于输出电压信号；第七P型‑金氧半场效晶体管的漏极与所述第三P型‑金氧半场效晶体管的源极、所述第三信号单元和所述第四P型‑金氧半场效晶体管的源极均连接；所述第三信号单元为第八P型‑金氧半场效晶体管；其中，所述第八P型‑金氧半场效晶体管的栅极接收所述第四控制信号，所述第八P型‑金氧半场效晶体管的源极接地，所述第八P型‑金氧半场效晶体管的漏极与所述第七P型‑金氧半场效晶体管的漏极、所述第三P型‑金氧半场效晶体管的源极和所述第四P型‑金氧半场效晶体管的源极均连接。