[发明专利]一种新型BiCMOS灵敏放大器设计

摘要

本发明属于集成电路技术领域，公开了一种用于反熔丝OTP存储器的新型BiCMOS灵敏放大器电路设计，这种电路运用BiCMOS技术，以运放结构为基础，结合预充电和放电时序控制机制，能将编程后阻抗状态并不一致的反熔丝成功读出为导通状态，并能保证读取操作的准确无误，使读出的数据真实可靠，提高了存储器的可靠性，包括BiCMOS运放结构，一个预充电器件，三个电流通路CH1、CH2、CH3，所述的运放结构和电流通路电路，可以将编程后呈高阻抗连接状态并且不一致的反熔丝成功检测为短接状态，并具有可调的可检测电阻范围，所述的预充电器件用于将输出位线预充电到高电平，从而提高读出速度，并对灵敏放大器的精度做出改进。

主权项

一种新型BiCMOS灵敏放大器设计，其特征在于包含以下步骤：1)以BiCMOS运放结构为基础，结合预充电和放电时序控制机制，通过对三个放电通路的控制，能将编程后呈高阻抗状态的反熔丝成功读出为导通状态，未编程的反熔丝读出为未导通；2)运放结构对于未编程的存储器，节点Y1的电压由N3、N4、N5、N6进行分压得到，分压以后，VY1＞VY2时，节点COUT迅速被稳定在低电平；3)运放结构对于编程后的存储器，经过存储单元与各个NMOS管的分压，节点Y2比节点Y1高出一定的电压差，VY2＞VY1时，节点COUT迅速被稳定在高电平；4)运放结构的控制电路N12放电开关器件的开启时间能调节可被检测的电阻阻值范围，提高灵敏放大器的速度、精度；5)连接反熔丝结构的器件选择PMOS管P2，可保证读出过程的精确快速进行。