[发明专利]刻蚀映射关系模型和控制浅槽隔离刻蚀关键尺寸的方法有效

专利信息
申请号: 201510369469.7 申请日: 2015-06-29
公开(公告)号: CN104900510B 公开(公告)日: 2018-01-26
发明(设计)人: 许进;冯奇艳;任昱;吕煜坤;张旭升 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/306 分类号: H01L21/306;H01L21/66;H01L21/76
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 代理人: 吴世华,陈慧弘
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种刻蚀映射关系模型和控制浅槽隔离刻蚀关键尺寸的方法,包括如下步骤在进行工艺前建立刻蚀前后线宽差与光刻胶抗反射涂层厚度对应的映射关系模型,在进行光刻胶抗反射涂层工艺时,实时量测光刻胶抗反射涂层的厚度,并根据量测反馈的光刻胶抗反射涂层厚度及步骤S14得到映射关系模型,实时选择和调整合适的工艺时间,以使得在线晶圆产品在不同光刻胶抗反射涂层厚度下得到相同浅沟槽刻蚀关键尺寸。本发明引入光学线宽测量仪(Optical Critical Dimension,简称OCD)检测量化光刻胶抗反射涂层的厚度,以改进浅槽隔离刻蚀线宽,并调整浅沟槽隔离刻蚀时间,从而精确控制浅沟槽隔离的关键尺寸。
搜索关键词: 刻蚀 映射 关系 模型 控制 隔离 关键 尺寸 方法
【主权项】:
一种控制浅槽隔离刻蚀关键尺寸的方法,其特征在于,包括如下两个步骤:步骤S1:在进行工艺前,建立刻蚀前后线宽差与光刻胶抗反射涂层厚度对应的映射关系模型;具体包括:步骤S11:通过调整工作区对晶圆产品进行光刻胶抗反射涂层喷涂工艺时的转速速率,获得与所述转速速率相应的具有不同厚度的光刻胶抗反射涂层;步骤S12:采用光学线宽测量仪量测不同转速下得到的不同光刻胶抗反射涂层的厚度;步骤S13:对具有不同抗反射涂层的厚度的晶圆产品使用同一支工艺菜单进行刻蚀,并收集所有晶圆刻蚀后的关键尺寸;步骤S14:建立刻蚀前后线宽差与光刻胶抗反射涂层厚度对应的关系模型;步骤S2:在进行光刻胶抗反射涂层工艺时,采用光学线宽测量仪实时量测所述光刻胶抗反射涂层的厚度,并根据量测反馈的所述光刻胶抗反射涂层厚度及步骤S14得到映射关系模型,实时选择和调整合适的工艺时间,以使得在线晶圆产品在不同光刻胶抗反射涂层厚度下得到相同浅沟槽刻蚀关键尺寸。
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