[发明专利]刻蚀方法有效
| 申请号： | 201510367411.9 | 申请日： | 2015-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN106298505B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 金一诺;王坚;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种刻蚀方法，使用刻蚀气体对晶圆的阻挡层和/或掩膜层进行刻蚀，包括：提供第一工艺腔和第二工艺腔，第一工艺腔与第二工艺腔具有不同的工艺条件；在第一工艺腔内对阻挡层进行第一道刻蚀工艺并产生第一标记产物，监测第一标记产物在第一工艺腔内的浓度；第一标记产物在第一工艺腔内的浓度达到第一终点值时，第一道刻蚀工艺结束，并将晶圆转移至第二工艺腔；在第二工艺腔内对阻挡层或掩膜层进行第二道刻蚀工艺并产生第二标记产物，监测第二标记产物在第二工艺腔内的浓度；第二标记产物在第二工艺腔内的浓度达到第二终点值时，第二道刻蚀工艺结束。本发明揭示的刻蚀方法能够提高效率，改善刻蚀结果。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种刻蚀方法，使用刻蚀气体对晶圆的阻挡层和/或掩膜层进行刻蚀，其特征在于，包括：提供第一工艺腔和第二工艺腔，所述第一工艺腔与第二工艺腔具有不同的工艺条件；在第一工艺腔内对所述阻挡层进行第一道刻蚀工艺并产生第一标记产物，监测所述第一标记产物在第一工艺腔内的浓度；所述第一标记产物在第一工艺腔内的浓度达到第一终点值时，所述第一道刻蚀工艺结束，并将所述晶圆转移至第二工艺腔；在第二工艺腔内对所述阻挡层或掩膜层进行第二道刻蚀工艺并产生第二标记产物，监测所述第二标记产物在第二工艺腔内的浓度；所述第二标记产物在第二工艺腔内的浓度达到第二终点值时，所述第二道刻蚀工艺结束。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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