[发明专利]一种IGBT模块的新型封装结构在审
| 申请号： | 201510323615.2 | 申请日： | 2015-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN104966713A | 公开（公告）日： | 2015-10-07 |
| 发明（设计）人： | 郝晓红;彭倍;赵静波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/38;H01L23/367 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT模块的新型封装结构，其特征在于：包括IGBT芯片和续流二极管芯片、DBC板、TEC芯片、热沉(heat sink)。TEC和热沉的组合应用可以更快速的将芯片产生的高热流密度的热量传导到IGBT模块外部，可以达到快速、高效散热的目的。本发明在现有IGBT模块封装结构的基础上与TEC芯片、热沉进行有机结合，能够有效的改善IGBT模块的散热问题，突破了IGBT模块散热只能在模块外部进行优化改进的局限性，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 模块 新型 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种IGBT模块的新型封装结构，其特征在于：1)该IGBT模块具有n个单元，将n个IGBT芯片以及其对应的续流二极管芯片焊接在覆铜陶瓷基板(Direct Bonding Copper,DBC)上；2)选取n个合适尺寸的TEC芯片，并将其冷端和DBC板紧密连接，其位置与DBC板上的IGBT芯片和续流二极管芯片对应；3)将所用的n个TEC芯片热端固定在热沉上，热沉尺寸适当。
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