[发明专利]一种集成电路结构及其制造方法、半导体器件

摘要

本发明公开了一种集成电路结构的制造方法，包括步骤：提供第一晶片，第一晶片上形成有第一电路结构及其上的第一顶层钝化层；提供第二晶片，第二晶片的第一表面上形成有对准标记；在第二晶片上形成第二电路结构的第二掺杂区；将第二晶片的第一表面朝向第一顶层钝化层，进行第一晶片和第二晶片的键合；将第二晶片减薄至第二掺杂区；在第二晶片上形成第二电路结构的第二栅极及第二互联结构，并在第二互联结构的其中一层与第一电路结构的第一互联结构的其中一层之间形成晶片间互联线；覆盖第二顶层钝化层。晶片间的互联线与芯片内的引线间距相当，具有更小的芯片间导通距离，无需大尺寸的通孔即可实现晶片间的导通，工艺易于实现且集成度高。

主权项

1.一种集成电路结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供第一晶片，第一晶片上形成有第一电路结构及其上的第一顶层钝化层；提供第二晶片，第二晶片的第一表面上形成有对准标记；通过对准标记进行对位，在第二晶片上形成第二电路结构的第二掺杂区；将第二晶片的第一表面朝向第一顶层钝化层，进行第一晶片和第二晶片的键合；将第二晶片减薄至第二掺杂区；其中，所述第二晶片为SOI晶片，第二晶片的第一表面为SOI晶片的顶层硅的表面，SOI晶片的顶层硅上形成有对准标记；第二掺杂区形成在SOI晶片的顶层硅中；在第二晶片减薄时，将SOI晶片减薄至顶层硅；在第二晶片上形成第二电路结构的其他结构，并在第二互联结构的其中一层与第一电路结构的第一互联结构的其中一层之间形成晶片间互联线；覆盖第二顶层钝化层。