[发明专利]传感器基板、其制造方法和具有传感器基板的显示装置有效

专利信息
申请号: 201510146210.6 申请日: 2015-03-30
公开(公告)号: CN104978080B 公开(公告)日: 2020-01-31
发明(设计)人: 吕伦钟;金志宪;赵炫珉 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: G06F3/042 分类号: G06F3/042;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333
代理公司: 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 刘灿强;尹淑梅
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明公开了传感器基板、其制造方法和具有传感器基板的显示装置。传感器基板包括:基底基板以及基底基板上的感测晶体管和开关晶体管。感测晶体管包括:第一栅电极、第一栅电极上的光学响应图案、光学响应图案上的并且彼此隔开的第一源电极和第一漏电极、第一源电极和光学响应图案之间的第一氧化物半导体图案、以及第一漏电极和光学响应图案之间的第二氧化物半导体图案。开关晶体管包括:第二栅电极、第二栅电极上的第三氧化物半导体图案、以及第三氧化物半导体图案上彼此隔开的第二源电极和第二漏电极。
搜索关键词: 传感器 制造 方法 具有 显示装置
【主权项】:
1.一种传感器基板,包括:/n基底基板;/n所述基底基板上的感测晶体管;以及/n所述基底基板上的开关晶体管,/n所述感测晶体管包括:/n第一栅电极;/n所述第一栅电极上的光学响应图案;/n第一源电极和第一漏电极,位于所述光学响应图案上并且彼此间隔开;/n第一氧化物半导体图案,介于所述第一源电极和所述光学响应图案之间;/n第二氧化物半导体图案,介于所述第一漏电极和所述光学响应图案之间;/n第一欧姆接触图案,介于所述光学响应图案和所述第一氧化物半导体图案之间;以及/n第二欧姆接触图案,介于所述光学响应图案和所述第二氧化物半导体图案之间,/n所述开关晶体管包括:/n第二栅电极;/n所述第二栅电极上的第三氧化物半导体图案;以及/n第二源电极和第二漏电极,位于所述第三氧化物半导体图案上并且彼此间隔开。/n
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