[发明专利]一种定位双位线桥接的方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种定位双位线桥接的方法，通过增加一载体硅片，将双位线中的一根位线与载体硅片连接，然后对双位线进行逐段切割，根据位线的图像的明亮暗淡程度判断双位线桥接的位置，通过采用本发明的技术方案，快速高效实现了双位线桥接的定位，有效克服了传统双位线桥失效位置定位的耗时问题和容易损坏微弱的桥的问题。

主权项

1.一种定位双位线桥接的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一失效样品和载体硅片，且该失效样品包括具有正面表面及相对于该正面的背面表面的衬底，于所述衬底的正面表面上按照从下至上顺序依次叠置有掩埋位线层、介质层、第一金属层、第一层间介质层和第二层间介质层，所述掩埋位线层通过贯穿于所述介质层的若干连接线与所述第一金属层连接，且在所述第一层间介质层中临近所述第二层间介质层的区域内嵌入设置有与所述第二层间介质层接触的由若干金属组成的第二金属层；依次去除所述第二层间介质层、所述第二金属层和部分所述第一层间介质层后，将所述失效样品倒置于所述载体硅片上，剩余的所述第一层间介质层暴露的表面与所述载体硅片接触；对所述衬底的背面表面进行减薄工艺后，去除剩余的衬底及所述掩埋位线层，以将所述连接线予以暴露；继续对所述第一金属层进行双位线桥接失效分析工艺。