[发明专利]缺陷定位方法有效
| 申请号： | 201510087311.0 | 申请日： | 2015-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN105990177B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 高保林;王倩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种缺陷定位方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底内包括多个在垂直方向延伸的金属塞，所述半导体基底的材料对激光具有透光性；沿着所述垂直方向对半导体基底制备断面，所述断面与所述金属塞的距离大于等于100μm；以及对所述金属塞通电，并用所述激光从所述断面对所述半导体基底进行照射，并进行热点分析，通过亮点的位置判断缺陷在垂直方向的深度。由于所述半导体基底的材料对激光具有透光性，所以，如果所述金属塞中具有缺陷，所述缺陷经过激光的照射，所述缺陷的电阻值会发生变化，并呈现出亮点，从而经过热点分析，通过亮点的位置判断缺陷在垂直方向的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 定位 方法 | ||
【主权项】：
1.一种缺陷定位方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底内包括多个在垂直方向延伸的金属塞，所述半导体基底的材料对激光具有透光性；沿着所述垂直方向对半导体基底制备断面，所述断面与所述金属塞的距离大于等于100μm；以及对所述金属塞通电，并用所述激光从所述断面对所述半导体基底进行照射，并进行热点分析，通过亮点的位置判断缺陷在垂直方向的深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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