[发明专利]用于热解碳化硅片生长石墨烯的坩埚在审

专利信息
申请号: 201510071246.2 申请日: 2015-02-11
公开(公告)号: CN105984865A 公开(公告)日: 2016-10-05
发明(设计)人: 芦伟;郭丽伟;陈小龙 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: C01B31/04 分类号: C01B31/04
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人: 王勇;王博
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种用于热解碳化硅片生长石墨烯的坩埚,包括呈筒状的坩埚体;位于所述坩埚体上的第一坩埚盖,所述第一坩埚盖具有一个或多个第一通孔,所述第一通孔的孔径为0.01~3毫米,所述第一坩埚盖和所述坩埚体限定了一个用于容纳所述碳化硅片的容纳空间,所述容纳空间的高度为1~15毫米。在现有的工艺参数下采用本发明的坩埚能控制石墨烯的生长速率,从而制备高均匀性的石墨烯。
搜索关键词: 用于 碳化 硅片 生长 石墨 坩埚
【主权项】:
一种用于热解碳化硅片生长石墨烯的坩埚,其特征在于,包括:呈筒状的坩埚体;位于所述坩埚体上的第一坩埚盖,所述第一坩埚盖具有一个或多个第一通孔,所述第一通孔的孔径为0.01~3毫米,所述第一坩埚盖和所述坩埚体限定了一个用于容纳所述碳化硅片的容纳空间,所述容纳空间的高度为1~15毫米。
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