[发明专利]晶圆承载器、热处理装置及热处理方法有效
| 申请号： | 201510055590.2 | 申请日： | 2015-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN104600020B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 孙少东 | 申请（专利权）人： | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 陶金龙,张磊 |
| 地址： | 100016 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆承载器，包括顶板，底板，连接顶板和底板的多根支柱，以及沿高度方向以规定间隔从每一支柱的内侧面径向向内突出的多个晶圆承载部。其中，每一晶圆承载部在径向向内方向上具有第一凹陷台阶和第二凹陷台阶，所述第一凹陷台阶从该晶圆承载部的上表面向下凹陷形成且具有第一水平台阶面，所述第二凹陷台阶从所述第一水平台阶面向下凹陷形成且具有第二水平台阶面。其中，每一晶圆承载部的上表面和所述第二水平台阶面用于同时承载不同尺寸的晶圆，且所述不同尺寸的晶圆通过所述第一凹陷台阶和第二凹陷台阶隔开。本发明的晶圆承载器能够同时可靠承载不同尺寸的晶圆，提高了晶圆承载器的通用性和使用效率。 | ||
| 搜索关键词： | 承载 热处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆承载器，其特征在于，包括：以一定距离相互平行间隔设置的顶板和底板；连接所述顶板和底板的多根支柱；沿高度方向以规定间隔从每一所述支柱的内侧面径向向内突出的多个晶圆承载部；其中，每一所述晶圆承载部在径向向内方向上具有第一凹陷台阶和第二凹陷台阶，所述第一凹陷台阶从该晶圆承载部的上表面向下凹陷形成且具有第一水平台阶面，所述第二凹陷台阶从所述第一水平台阶面向下凹陷形成且具有第二水平台阶面；其中，每一所述晶圆承载部的上表面和所述第二水平台阶面用于同时承载不同尺寸的晶圆，且所述不同尺寸的晶圆通过所述第一凹陷台阶和第二凹陷台阶隔开；其中，所述第一凹陷台阶和第二凹陷台阶的深度之和为5.5～6.5mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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