[发明专利]高增益低开关电压应力交错并联BOOST变换器和工作方法有效

专利信息
申请号: 201510053163.0 申请日: 2015-02-02
公开(公告)号: CN104617777B 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 凌睿;赵国言;王昱;余大侠;严小东;黄雪莉;王理智;张婕;罗杨;王传鑫;舒志辉;但强;刘楠;朱哲人 申请(专利权)人: 重庆大学;重庆出入境检验检疫局检验检疫技术中心
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335;H02M1/14
代理公司: 重庆市前沿专利事务所(普通合伙)50211 代理人: 郭云
地址: 400045 *** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 发明公开了一种高增益低开关电压应力交错并联BOOST变换器和工作方法,第一电感一端连接第一MOS管漏极,所述第一电感另一端连接第二电感一端,所述第一MOS管源极连接第二MOS管源极,所述第二MOS管源极连接第三MOS管源极,所述第二MOS管漏极连接第二电感另一端,所述第二电感一端还连接变压器漏感一端,所述变压器漏感另一端连接变压器一次侧输入端,所述第三MOS管漏极连接变压器一次侧输出端和第四二极管正极,这使得更低电压等级的二极管和具有更低导通电阻的MOS管能够被选择来进一步减小开关损耗和导通损耗。
搜索关键词: 增益 开关 电压 应力 交错 并联 boost 变换器 工作 方法
【主权项】:
一种高增益低开关电压应力交错并联BOOST变换器,其特征在于,包括:第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第一电感、第二电感、变压器漏感、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、负载、输出电容,第一电容、第二电容、变压器,第一电感一端连接第一MOS管漏极,所述第一电感另一端连接第二电感一端,所述第一MOS管源极连接第二MOS管源极,所述第二MOS管源极连接第三MOS管源极,所述第二MOS管漏极连接第二电感另一端,所述第二电感一端还连接变压器漏感一端,所述变压器漏感另一端连接变压器一次侧输入端,所述第三MOS管漏极连接变压器一次侧输出端和第四二极管正极,所述第四二极管负极连接第二MOS管漏极和第二电容一端,所述第一电感一端还连接变压器二次侧输入端和第一电容一端,所述第一电容另一端连接第一二极管正极和第三二极管负极,所述第三二极管正极连接变压器二次侧输出端,所述第一二极管负极连接第二电容另一端和第二二极管正极,所述第二二极管负极分别连接输出电容一端和负载一端,所述输出电容另一端连接第三MOS管源极,所述负载另一端连接第三MOS管源极;所述高增益低开关电压应力交错并联BOOST变换器的工作方法为,设置三个MOS管工作时序,MOS管导通、关断的一个时间周期分为t0、t1、t2、t3、t4、t5六个时间点,步骤如下:步骤1,在t0至t1阶段,第一MOS管,第二MOS管,第三MOS管导通,第一二极管,第二二极管,第三二极管,第四二极管全部关断,第一电感,第二电感和变压器漏感中的电流iL1,iL2和iLlk线性增加,负载能量由输出电容提供,第四二极管两端的电压接近于零;步骤2,在t1至t2阶段,第二MOS管、第三MOS管导通,第一MOS管关断,第二二极管、第三二极管、第四二极管关断,第一二极管导通,存储在第一电感和第一电容中的能量通过第一二极管传递到第二电容,输出电容给负载提供能量;步骤3,在t2至t3阶段,第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管导通,第一二极管,第二二极管,第三二极管,第四二极管全部关断,第一电感,第二电感和变压器漏感中的电流iL1,iL2和iLlk线性增加,负载能量由输出电容提供,第四二极管两端的电压接近于零;步骤4,在t3至t4阶段,第一MOS管导通,第二MOS管、第三MOS管关断,第一二极管关断,第二二极管、第三二极管、第四二极管导通,第一电感中的电流线性增加,存储在第二电感和第二电容中的能量通过第二二极管释放到输出电容和负载,同时,存储在变压器漏感中的能量通过第四二极管,第二电容,第二二极管释放到输出电容和负载,在t4时刻,第四二极管和变压器漏感的电流减小到零,存储在变压器中的能量通过第三二极管向第一电容释放以弥补前一阶段第一电容释放的能量;步骤5,在t4至t5阶段,第一MOS管导通,第二MOS管、第三MOS管关断,第二二极管、第三二极管导通,第一二极管、第四二极管关断,第一电感中的电流线性增加,存储在变压器中的能量释放给第一电容,输出能量由第二电感和第二电容提供。
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