[发明专利]一种RRAM存储单元中可变电阻仿真建模电路

摘要

本发明涉及一种RRAM存储单元中可变电阻仿真建模电路，包括状态检测电路、状态判断控制电路和状态转换电路，状态检测电路用于将可变电阻两端的净电压脉冲VR进行延迟处理得到电压信号VR_DL；状态判断控制电路用于将电压信号VR_DL与状态翻转阈值电压(Vset，Vreset)进行比较，确定可变电阻的翻转状态；状态转换电路用于根据确定的可变电阻的翻转状态确定可变电阻的等效阻值。本发明解决了现有的仿真建模方法存在仿真时间长、产生仿真文件大的技术问题，本发明能够较为真实的拟合可变电阻的电气特性，反映可变电阻的在不同工作条件下的记忆或存储信息的特性。

主权项

1.一种RRAM存储单元中可变电阻仿真建模电路，其特征在于：包括状态检测电路(12)、状态判断控制电路(13)和状态转换电路(14)，所述状态检测电路(12)用于将可变电阻两端的净电压脉冲VR进行延迟处理得到电压信号VR_DL；所述状态检测电路(12)包括延迟电路；所述状态判断控制电路(13)用于将电压信号VR_DL与状态翻转阈值电压(Vset，Vreset)进行比较，确定可变电阻的翻转状态；所述状态判断控制电路(13)包括第一压控开关(131)、第二压控开关(132)、第三压控开关(133)、第四压控开关(134)以及RS锁存器(135)，所述第一压控开关(131)、第二压控开关(132)、第三压控开关(133)和第四压控开关(134)的控制端均与延迟电路的输出端连接，所述第一压控开关(131)和第二压控开关(132)的一端均与RS锁存器(135)的S端连接；所述第一压控开关(131)的另一端接电源，所述第二压控开关(132)的另一端接地；所述第一压控开关(131)的控制端控制第一压控开关(131)的开合；所述第二压控开关(132)的控制端控制第二压控开关(132)的开合；所述第三压控开关(133)和第四压控开关(134)的一端均与RS锁存器(135)的R端连接；所述第三压控开关(133)的另一端接电源，所述第二压控开关(134)的另一端接地；所述第三压控开关(133)的控制端控制第三压控开关(133)的开合；所述第四压控开关(134)的控制端控制第四压控开关(134)的开合；所述状态转换电路(14)用于根据确定的可变电阻的翻转状态确定可变电阻的等效阻值；所述状态转换电路(14)包括电阻Rset(144)、第五压控开关(142)、电阻Rreset(143)、第六压控开关(141)，所述第五压控开关(142)的控制端接RS锁存器(135)的Q端，所述第六压控开关(141)的控制端接RS锁存器(135)的端,所述电阻Rset(144)与第五压控开关(142)并联，所述电阻Rreset(143)与第六压控开关(141)并联，后串联。