[发明专利]一种制作二极管的方法有效
| 申请号： | 201510041382.7 | 申请日： | 2015-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN105990134B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种制作二极管的方法。本发明的上述实施例中，在外延层上生长氧化层；对所述氧化层进行光刻刻蚀，至少刻蚀掉场限环对应的沟槽区域的氧化层；生长掩膜层，并对所述掩膜层进行光刻刻蚀，形成所述氧化层的侧墙；对相邻的所述氧化层间的区域进行沟槽刻蚀，形成所述场限环对应的沟槽；去掉所述氧化层的侧墙，对所述场限环对应的沟槽进行离子注入；在所述外延层依次制作介质层、正面金属层；在衬底背面制作背面金属层。本发明实施例通过在形成氧化层的侧墙，有效避免了现有技术制作恒流二极管的过程中过高的曝光量导致环区结形貌变化，耗尽区不均匀，器件耐压下降的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 二极管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作二极管的方法，其特征在于，包括：在外延层上生长氧化层；对所述氧化层进行光刻刻蚀，至少刻蚀掉场限环对应的沟槽区域的氧化层；生长掩膜层，并对所述掩膜层进行光刻刻蚀，形成所述氧化层的侧墙；对相邻的所述氧化层间的区域进行沟槽刻蚀，形成所述场限环对应的沟槽；去掉所述氧化层的侧墙，对所述场限环对应的沟槽进行离子注入；在所述外延层依次制作介质层、正面金属层；在衬底背面制作背面金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
