[发明专利]熔融金属喷出装置以及熔融金属喷出方法在审
申请号: | 201510037359.0 | 申请日: | 2015-01-26 |
公开(公告)号: | CN105097611A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 仓持敬一;新饲雅芳 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/60 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于提供一种使熔融金属的喷出量稳定的熔融金属喷出装置以及熔融金属喷出方法。本发明所涉及的熔融金属喷出装置是将熔融的熔融金属(2)喷出,并通过喷出的熔融金属(2)进行部件的接合的熔融金属喷出装置,该熔融金属喷出装置具有:筒状的压力缸(5),其内部收容熔融金属(2);轴(4),其在压力缸(5)内部滑动,按压熔融金属(2);以及加热器(压力缸保温加热器(6)),其设置在压力缸(5)的周围,将熔融金属(2)加热而保持熔融状态,压力缸(5)具有:轴滑动部(5a),其用于使轴(4)进行滑动;以及喷嘴(5b),其内径比轴滑动部(5a)小,从前端的开口部喷出熔融金属(2),该熔融金属喷出装置还具有旋转机构(20),该旋转机构(20)使压力缸(5)以喷嘴(5b)的延伸方向为旋转中心而进行旋转,对喷嘴(5b)的内壁施加有防止熔融金属(2)附着的涂层(5c)。 | ||
搜索关键词: | 熔融 金属 喷出 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
一种熔融金属喷出装置,其将熔融的熔融金属喷出,并通过喷出的该熔融金属进行部件的接合,其中,该熔融金属喷出装置具有:筒状的压力缸,在其内部收容所述熔融金属;轴,其在所述压力缸内部滑动,按压所述熔融金属;以及加热器,其设置在所述压力缸的周围,将所述熔融金属加热而保持熔融状态,所述压力缸具有:轴滑动部,其用于使所述轴进行滑动;以及喷嘴,其内径比该轴滑动部小,从前端的开口部喷出所述熔融金属,该熔融金属喷出装置还具有旋转机构,该旋转机构使所述压力缸以所述喷嘴的延伸方向为旋转中心而进行旋转,对所述喷嘴的内壁施加有防止所述熔融金属附着的涂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造