[发明专利]一种嵌入式闪存及其制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 201510018576.5 | 申请日： | 2015-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN105845631A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种嵌入式闪存及其制备方法、电子装置，所述方法包括步骤S1：提供基底，在所述基底的不同区域上分别形成有高压氧化物层和遂穿氧化层；步骤S2：在所述高压氧化物层和所述遂穿氧化层上沉积浮栅材料层和掩膜层，并在所述浮栅材料层和所述掩膜层中形成延伸至所述基底中的浅沟槽隔离氧化物；步骤S3：去除掩膜层，露出部分高度的所述浅沟槽隔离氧化物；步骤S:4：回蚀刻露出的所述浅沟槽隔离氧化物，以减小露出的所述浅沟槽隔离氧化物的关键尺寸；步骤S5：再次沉积所述浮栅材料层至所述浅沟槽隔离氧化物的顶部，步骤S6蚀刻所述浮栅材料层和所述浅沟槽隔离氧化物；步骤S7：去除所述浅沟槽隔离氧化物中关键尺寸减小的部分，以形成T形浮栅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 嵌入式 闪存 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种嵌入式闪存的制备方法，包括：步骤S1：提供基底，在所述基底的不同区域上分别形成有高压氧化物层和遂穿氧化层；步骤S2：在所述高压氧化物层和所述遂穿氧化层上沉积浮栅材料层和掩膜层，并在所述浮栅材料层和所述掩膜层中形成延伸至所述基底中的浅沟槽隔离氧化物；步骤S3：去除所述掩膜层，露出部分高度的所述浅沟槽隔离氧化物；步骤S4：回蚀刻露出的所述浅沟槽隔离氧化物，以减小露出的所述浅沟槽隔离氧化物的关键尺寸；步骤S5：再次沉积所述浮栅材料层至所述浅沟槽隔离氧化物的顶部，以包围所述浅沟槽隔离氧化物；步骤S6：蚀刻所述浮栅材料层和所述浅沟槽隔离氧化物，以获得平坦的表面；步骤S7：去除所述浅沟槽隔离氧化物中关键尺寸减小的部分，以形成T形浮栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
