[发明专利]利用引入器件判断射频器件去嵌入精度的测试结构及方法有效
| 申请号： | 201480082382.5 | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN107076822B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 刘林林 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R35/00 | 分类号： | G01R35/00 |
| 代理公司： | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于判断射频器件去嵌入精度的测试结构及方法，包括分别测试目标器件测试结构、引入器件测试结构以及辅助测试结构的S参数并分别计算所述目标器件测试结构及引入器件测试结构的去嵌后S参数，根据目标器件测试结构去嵌后S参数及引入器件测试结构去嵌后S参数分别计算得到所述目标器件测试结构的待测性能指标结果，通过比较所述结果的一致性程度判断去嵌入方法的精度。本发明可直观地通过对测试数据的分析处理判断某个去嵌入方法的去嵌精度及适用范围，同时使用并联结构和级联结构可增加判断结果的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 引入 器件 判断 射频 嵌入 精度 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用引入器件来判断射频器件去嵌入精度的测试结构，包括目标器件测试结构D1、引入器件测试结构以及相应的辅助测试结构D5，其特征在于：所述引入器件测试结构包括参考器件测试结构D2、目标器件与参考器件并联测试结构D3、目标器件与参考器件级联测试结构D4，通过对目标器件测试结构D1、参考器件测试结构D2、目标器件与参考器件并联测试结构D3、目标器件与参考器件级联测试结构D4以及辅助测试结构D5的组合计算去判断射频器件去嵌入精度；其中，所述组合计算包括：分别测试所述测试结构D1～D5的S参数；分别计算所述测试结构D1～D4的去嵌后S参数；根据去嵌后S参数分别计算得到所述目标器件测试结构D1的待测性能指标结果；通过比较所述结果的一致性程度判断去嵌入精度。/n
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