[发明专利]发光装置和发光装置的设计方法有效
申请号: | 201480070627.2 | 申请日: | 2014-12-26 |
公开(公告)号: | CN105849920B | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 堀江秀善 | 申请(专利权)人: | 西铁城电子株式会社 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;C09K11/79;C09K11/78;C09K11/80;C09K11/64;F21K9/20;F21V9/08;F21V9/38;F21V19/00;F21Y115/10 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 欧阳琴;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在“能够实现自然、生动、视觉辨别性高、且舒适的色貌、物体外貌的发光装置”中,维持色貌的良好的特性,并且设为与以往所知的光谱分布完全不同的形状,从而改善其光源效率。一种发光装置,其至少具有蓝色半导体发光元件、绿色荧光体和红色荧光体作为发光要素,其特征在于,从所述发光装置在主辐射方向上射出的光满足全部特定的条件。 | ||
搜索关键词: | 发光 装置 设计 方法 | ||
【主权项】:
一种发光装置,该发光装置至少具有蓝色半导体发光元件、绿色荧光体和红色荧光体作为发光要素,其特征在于,从所述发光装置在主辐射方向上射出的光满足以下的条件1到条件4的全部条件,条件1:设波长为λ、从所述发光装置在所述主辐射方向上射出的光的光谱分布为
(λ),设根据从所述发光装置在所述主辐射方向上射出的光的相关色温TSSL1而选择的基准光的光谱分布为
设从所述发光装置在所述主辐射方向上射出的光的三刺激值为(XSSL1,YSSL1,ZSSL1),设根据从所述发光装置在所述主辐射方向上射出的光的TSSL1而选择的基准光的三刺激值为(Xref1,Yref1,Zref1),将从所述发光装置在所述主辐射方向上射出的光的归一化光谱分布SSSL1(λ)、根据从所述发光装置在所述主辐射方向上射出的光的TSSL1(K)而选择的基准光的归一化光谱分布Sref1(λ)、以及这些归一化光谱分布的差ΔSSSL1(λ)分别定义为:![]()
ΔSSSL1(λ)=Sref1(λ)‑SSSL1(λ)设波长380nm以上且780nm以下的范围中实现了所述SSSL1(λ)的最长波长极大值的波长为λSSL1‑RL‑max(nm)时,在比所述λSSL1‑RL‑max更靠长波长侧的位置存在成为SSSL1(λSSL1‑RL‑max)/2的波长Λ4的情况下,由下述式(1‑1)表示的指标
为:
另一方面,设波长380nm以上且780nm以下的范围中实现了所述SSSL1(λ)的最长波长极大值的波长为λSSL1‑RL‑max(nm)时,在比所述λSSL1‑RL‑max更靠长波长侧的位置不存在成为SSSL1(λSSL1‑RL‑max)/2的波长Λ4的情况下,由下述式(1‑2)表示的指标
为:
【数学式1】
【数学式2】![]()
条件2:所述光的光谱分布
离ANSI C78.377中定义的黑体辐射轨迹的距离![]()
为:
条件3:当将所述光的光谱分布
在430nm以上且495nm以下的范围中的光谱强度的最大值定义为
465nm以上且525nm以下的范围中的光谱强度的最小值定义为
时,
条件4:当将所述光的光谱分布
在590nm以上且780nm以下的范围中的光谱强度的最大值定义为
时,实现所述
的波长λSSL1‑RM‑max为:605(nm)≤λSSL1‑RM‑max≤653(nm)。
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