[发明专利]溅射靶在审
| 申请号： | 201480059995.7 | 申请日： | 2014-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN105705672A | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 石田新太郎;长谷川淳 | 申请（专利权）人： | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/00;C23C14/08;H01L21/363 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;苏萌萌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种溅射靶。所述溅射靶为由In、Ga以及Zn的氧化物组成的溅射靶，并且为在80℃的质量百分比28％盐酸中，相对于该盐酸而将质量百分比40％的量的所述溅射靶浸渍了24小时之时所获得的溶解残渣的、相对于所述浸渍的溅射靶的质量比为质量百分比0.5％以下的溅射靶。本发明的由In、Ga以及Zn的氧化物组成的溅射靶在溅射时电弧或结块的产生较少，并且能够由该溅射靶获得成品率较好的氧化物半导体膜。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 | ||
【主权项】：
一种溅射靶，其为由In、Ga以及Zn的氧化物组成的溅射靶，并且在80℃的质量百分比28％盐酸中，相对于该盐酸而将质量百分比40％的量的所述溅射靶浸渍了24小时之时所获得的溶解残渣的、相对于所述浸渍的溅射靶的质量比为质量百分比0.5％以下。
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