[发明专利]在纳米孔单元阵列中的非法拉第的、电容性耦合的测量有效
| 申请号： | 201480056309.0 | 申请日： | 2014-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN105612260B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | R.J.A.陈 | 申请（专利权）人： | 吉尼亚科技公司 |
| 主分类号： | C12Q1/6869 | 分类号： | C12Q1/6869;G01N27/447;G01N33/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周学斌;王传道 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种标识分子的方法。通过在第一时段期间向电极对施加第一电压信号来将分子吸引到纳米孔，其中所述第一电压信号导致第一离子电流通过纳米孔，所述第一离子电流指示接近纳米孔的分子的一部分的属性。通过在第二时段期间向电极对施加第二电压信号来从纳米孔释放分子，其中所述第二电压信号导致第二离子电流通过纳米孔。至少部分地基于包括第一离子电流和第二离子电流的通过纳米孔的净离子电流来确定第一时段和第二时段。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 单元 阵列 中的 法拉第 电容 耦合 测量 | ||
【主权项】：
一种标识分子的方法，包括：通过在第一时段期间向电极对施加第一电压信号来将分子吸引到纳米孔，其中所述第一电压信号导致第一离子电流通过纳米孔，所述第一离子电流指示接近纳米孔的分子的一部分的属性；通过在第二时段期间向电极对施加第二电压信号来从纳米孔释放分子，其中所述第二电压信号导致第二离子电流通过纳米孔；以及至少部分地基于包括第一离子电流和第二离子电流的通过纳米孔的净离子电流来确定第一时段和第二时段。
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