[实用新型]一种新型NOR Flash译码电路有效
| 申请号： | 201420836401.6 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN204516363U | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 吴兴隆 | 申请（专利权）人： | 武汉云雅科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 430074 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种新型NOR Flash译码电路，所述电路由NMOS管阵列组成，其特征为：第一横排NMOS管的源极接不同的PS引线，栅极接相同的PG引线，漏极与第二横排NMOS管的源极相连，并分别引出字线WL；第二横排NMOS管的源极与第一横排NMOS管的漏极相连，栅极接相同的NG，漏极与位于第三横排的NMOS管的源极相连；第三横排只包含一个NMOS管，其源极与第二横排的NMOS管的漏极相连，栅极接片选信号CHIPG，漏极接PG，通过只采用NMOS译码的方式，避免了引入PMOS所需的N阱，减小了电路面积，同时通过组合不同尺寸的NMOS管提高了电路的读取速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 nor flash 译码 电路 | ||
【主权项】：
一种新型NOR Flash译码电路，所述电路由NMOS管阵列组成，其特征在于：第一横排NMOS管的源极接不同的PS引线，栅极接相同的PG引线，漏极与第二横排NMOS管的源极相连，并分别引出字线WL；第二横排NMOS管的源极与第一横排NMOS管的漏极相连，栅极接相同的NG，漏极与位于第三横排的NMOS管的源极相连；第三横排只包含一个NMOS管，其源极与第二横排的NMOS管的漏极相连，栅极接片选信号CHIPG，漏极接PG。
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