[实用新型]一种晶体生长装置

摘要

本实用新型提供一种晶体生长装置。晶体生长装置包括晶体生长组件和加热组件，物料内置于晶体生长组件，加热物料至预定的温度梯度，引导物料进入引晶阶段、放肩阶段和等径生长阶段。根据测温组件的检测温度，导向组件驱动晶体生长组件运动，以适应VGF工艺和VB工艺的温度梯度要求。本实用新型结合VGF工艺和VB工艺的优势，有效放宽热场温度梯度的限制，提升晶体结晶速度。

主权项

一种晶体生长装置，其特征在于，包括：一基座、一顶盖和一本体，所述本体设有一本体收容腔；一晶体生长组件，所述本体分别连接于所述基座和所述顶盖，所述本体设有一本体收容腔，所述基座和所述本体和所述顶盖形成所述本体收容腔；一加热组件，所述加热组件电连接于外部电源，所述加热组件包括一第一加热部、一第二加热部和一第三加热部，所述第一加热部、所述第二加热部和所述第三加热部分别外设于所述晶体生长组件，所述第一加热部、所述第二加热部和所述第三加热部组合加热内置于所述晶体生长组件的所述物料；一隔热组件，所述隔热组件内设于所述本体收容腔，所述隔热组件外设于所述加热组件，所述隔热组件包括一第一隔热部和一第二隔热部，所述第一隔热部和所述第二隔热部分别外设于所述加热组件，所述第一隔热部一体连接于所述第二隔热部，所述第一隔热部和所述第二隔热部区隔所述晶体生长组件的热量；和一测温组件，所述测温组件内设于所述本体收容腔，所述测温组件包括多个测温部，所述测温部分别贴近于所述加热组件，所述测温部包括一热电偶，所述测温部的所述热电偶内设于所述本体收容腔，所述测温部的所述热电偶贴近于所述加热组件，根据所述测温部的所述热电偶的检测温度调整所述加热组件加热功率，所述物料在所述晶体生长组件受热生长结晶为晶体。