[实用新型]一种高性能MEMS超级电容有效

专利信息
申请号: 201420732406.4 申请日: 2014-11-18
公开(公告)号: CN204204652U 公开(公告)日: 2015-03-11
发明(设计)人: 朱平;魏丽玲;孙汶 申请(专利权)人: 中北大学
主分类号: H01G11/36 分类号: H01G11/36;H01G11/80
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 030051 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 实用新型公开了一种高性能MEMS超级电容,包括衬底层、导电层、绝缘密封层和外密封盖,所述导电层位于衬底层上,导电层由若干碳纳米管排列组成,导电层内设有注液通道,导电层划分为中心区域和位于中心区域两侧的接触区域,两侧的接触区域上分别放置有正极片和负极片,正极片和负极片分别连接有正极极耳和负极极耳,所述绝缘密封层位于导电层的上方,外密封盖安装于绝缘密封层的外侧。本实用新型具有存储能量大、体积微型化、循环寿命长、可多次循环充放电等优点,且具有良好的密封性能,电解液不易溢出,具有较长的使用寿命。
搜索关键词: 一种 性能 mems 超级 电容
【主权项】:
一种高性能MEMS超级电容,其特征在于:包括衬底层(1)、导电层(2)、绝缘密封层(3)和外密封盖(4),所述导电层(2)位于衬底层(1)上,导电层(2)由若干碳纳米管(5)排列组成,导电层(2)内设有注液通道(6),导电层(2)划分为中心区域(21)和位于中心区域(21)两侧的接触区域(22),两侧的接触区域(22)上分别放置有正极片(71)和负极片(72),正极片(71)和负极片(72)分别连接有正极极耳(73)和负极极耳(74),所述绝缘密封层(3)位于导电层(2)的上方,外密封盖(4)安装于绝缘密封层(3)的外侧。
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